모터 컨트롤러 기술 개발 동향
4.1 높은 보안 성
SBC + MCU 모니터링 아키텍처, 고전압 백업 전원 공급 장치, 안전 관련 드라이버 칩, IGBT 오류 종합 진단, 독립 안전 차단 경로, 독립적 ADC 채널의 리졸버 신호 디코딩, 전압 샘플링 회로, 다른 품질 3 상 전류 홀 센서가 구현됩니다.
4.2, 높은 EMC 등급
이제 2 세대 제품은 클래스 3, 클래스 4를 수행 할 수 있으며 EMC는 클래스 5를 수행하여 소형화 및 비용 절감을 요구합니다. EMC의 획기적인 혁신은 다음과 같습니다.보다 우수한 필터링 솔루션을 사용하면 저렴한 EMC 디바이스 비용으로 높은 수준의 EMC 요구 사항을 충족 할 수 있습니다. EMC가 5 등급을 요구할 경우, 부피 비율은 5 % 미만이고 비용은 50RMB 미만입니다.
개발 연구 내용 포함 : "전자 제어 + 모터"시스템 EMC 솔루션, 핵심 장치 EMC 특성 연구 및 솔루션, "전자 제어 + 모터"시스템 EMC 시뮬레이션 플랫폼.
4.3, 고압
주로 승용차의 경우, 현재의 전압은 일반적으로 약 300-400V이며 장래에 고전압으로 발전 할 수 있습니다. 초고속 충전 및 전력 수요 증가는 전기 자동차의 고전압에 대한 내부 구동력입니다. 충전 전압이 400V에서 800V로 증가하면 충전 시간이 절반으로 단축 될 수 있습니다. 이 조각은 업그레이드되어야하고, 전기 자동차는 앞으로 대중화 될 것이며, 고전압은 발전 추세입니다. 이러한 경향에 대응하여 인버터 설계가 650V IGBT 설계에서 750V 및 1200V IGBT로 향상 될 것입니다.
4.4, 높은 전력 밀도
패키징의 관점에서 볼 때, 사각 벽돌, 초박형 및 최종 DBC / 칩 형태에 대한 기존의 사용하기 쉬운 모듈의 추세가 진화했습니다. 패키지의 부피는 하위 어셈블리로 축소됩니다. 2018 년 또는 향후에 2013 년 규모의 1/10에 도달 할 수 있습니다.
칩 크기에서부터 E3 칩과 같은 고효율 및 높은 동작 접합 온도에 이르기까지 동작 접합 온도는 150 ° C, EDT2 칩 접합 온도는 175 ° C, SIC 실리콘 카바이드 칩 접합 온도는 175 E2 인 경우 ° C 칩의 전력 손실은 1이며, 두 개의 전력 손실은 각각 0.8과 0.3에서 0.5 사이입니다. SiC 디바이스를 사용하면 스위칭 손실을 크게 줄이고 시스템 효율을 높이며 데드 타임을 줄이고 시스템 출력을 높일 수 있습니다. 배터리 팩 및 컨트롤러의 전반적인 고려 사항에서 총 비용은 5 % 감소했으며 순항 범위는 전체 차량의 관점에서 10 % 증가했습니다. 전체 효율은 SiC 장치를 사용하여 향상시킬 수 있습니다.
디바이스 개발과 패키징 기술 개발로 비용 예측은 점차 감소 할 것입니다.
제품 치수 측면에서 해마 공급 컨트롤러는 18kW / L을 달성 할 수 있으며 두 번째 승용차 컨트롤러의 전력 밀도는 26kW / L 일 수 있습니다. 최신 승용차 컨트롤러는 35kW / L을 처리 할 수 있습니다. 미래에 SiC 재료는 45 kW / L의 출력 밀도를 달성 할 것으로 예상됩니다.
4.5, 장치 통합 및 사용자 정의
기능 안전, 고집적 :
기능 안전, 고주파 :
드라이브 절연 IC : 기능 안전, 고집적 :
모델 커패시터는 모델 커패시터에 EMC를 통합하는 경우에도 커스터마이즈되어 있습니다. 예를 들어, 별도의 보드 인 컨트롤러의 EMC Y 커패시터가 미래에 통합 될 것입니다. 이것은 모터 컨트롤러 자체이며 미래의 시스템은 통합으로 나아가고 있습니다.
전동 공구 모터를 사고 싶다면 전동 공구 DC 모터에주의하십시오.
