혁신적인 기술로 업계를 선도합니다
60 년 동안 Mitsubishi Electric은 지속적이고 혁신적인 연구 개발을 위해 업계에서 선두 위치를 유지할 수있었습니다.
전력 구성 요소의 핵심으로 IGBT 칩의 중요성은 자명합니다. 전력 반도체의 최신 기술 개발에있어서, Mitsubishi Electric의 IGBT 칩 기술이 발전하고 있습니다. 3 세대 IGBT는 플랫 형 구조이고 4 세대 IGBT는 트렌치 구조, 5 세대는 CSTBTTM, 6 세대는 초박형입니다. 7 세대 IGBT 구조 인 CSTBTTM은 더욱 세련되고 초박형 CSTBT ™입니다.
IGBT 칩의 성능 지수 (FOM)로부터, 6 세대는 1 세대에 비해 16 배 증가했으며, 7 세대는 1 세대에 비해 26 배 증가했다. 패키징 기술의 관점에서, 소용량 소비자 DIPIPMTM 제품에서 Mitsubishi Electric은 사출 성형 포장 방법을 채택했습니다. 중형 산업용 제품 및 전기 자동차 용 제품에는 박스형 패키지가 채택됩니다. 대용량 제품, 특히 고속철도에 사용되는 제품에는 고성능 실리콘 카바이드 알루미늄 기판이 사용되며이 기판은 박스 패키지로 포장됩니다.
대량 생산 및 공급과 동시에 Mitsubishi Electric은 다음 폭발적인 수요에 대비하기 위해 노력하고 있습니다. 미쓰비시 전기는 2022 년경 12 인치 전력 부품 생산 라인 투자를 고려할 예정이다. Gourab Majumdar 박사의 관점에서 IGBT 칩 시장은 2020-2022 년에 크게 성장할 것입니다.
SiC는 차세대 전력 반도체의 핵심 기술 방향입니다. 전통적인 Si-IGBT 모듈과 비교할 때, SiC 전원 모듈의 주요 장점은 스위칭 손실이 크게 감소한다는 것입니다. 특정 인버터 어플리케이션의 경우이 장점은 인버터 크기를 줄이고 인버터 효율을 높이며 스위칭 주파수를 높일 수 있습니다. 현재, SiC 파워 디바이스를 기반으로 한 인버터 디바이스의 응용 분야가 확대되고있다. 그러나 비용 요인으로 인해 SiC 전력 장치의 현재 시장 침투는 매우 낮습니다. 기술의 발전으로 실리콘 카바이드의 가격은 급격히 떨어지고 미래는 전력 반도체 시장의 주류 제품이 될 것입니다.
"실리콘 카바이드 파워 모듈은 고온 저항, 저전력 소모 및 높은 신뢰성으로 인해 더 많은 어플리케이션을 확장 할 수 있습니다. 실리콘 카바이드는 미래에 새로운 시장을 개척하는데 최고의 선택입니다. "라고 Dr. Gourab Majumdar는 말했습니다.
Mitsubishi Electric은 2013 년부터 1 세대 실리콘 카바이드 전원 모듈을 출시했습니다. 사실 1994 년 초 Mitsubishi Electric은 SiC 기술을 개발하기 시작했습니다. 2015 년 이래 SiC 전력 장치는 많은 새로운 응용 분야에 접목되었습니다. 같은 해 Mitsubishi Electric은 일본의 신칸센에 설치하기위한 기관차 견인 시스템을 갖춘 최초의 전체 SiC 파워 모듈을 개발했습니다. Mitsubishi Electric의 SiC 전원 모듈 제품 라인은 정격 전류를 15A에서 1200A까지, 정격 전압을 600V에서 3300V까지 커버합니다. 현재 샘플을 이용할 수 있습니다.
Mitsubishi Electric은 탄화 규소에 대한 수요가 급격히 증가함에 따라 2017 년 6 인치 웨이퍼 생산 라인에 투자하여 신기술로 칩 크기를 줄였습니다. 현재 생산 라인은 계획대로 진행 중이며 2019 년 양산이 예상됩니다.
전원 장치에 대한 전력 전자 업계의 요구 사항은 효율 개선 및 크기 전력 밀도 감소에 더 많이 반영되므로 새로운 SiCMOSFET 전원 모듈은 점점 더 많은 응용 분야를 확보하게 될 것입니다. 미쓰비시 전기는 소음, 고효율, 소형 및 경량화를위한 전력 장치 시장의 요구 사항을 충족시키기 위해 하이테크 제품의 연구 개발에 전념 해왔다. 새로운 세대의 트렌치 게이트 SiC MOSFET 기술의 개발은 단락 회로 내구성과 온 저항 사이의 관계를 개선하고 2020 년까지 새로운 SiC MOSFET 모듈을 상용화 할 계획이다.
